WAHANGA/1
Ko te parapara, te kaipupuri purapura me te mowhiti kaiarahi i roto i te SiC me te AIN o te oumu karaihe kotahi i whakatipuhia e te tikanga PVT
E whakaatu ana i te Whakaahua 2 [1], ka whakamahia te tikanga kawe kohu tinana (PVT) ki te whakarite SiC, ko te karaihe kakano kei roto i te rohe pāmahana iti, ko te SiC raw rauemi kei roto i te rohe pāmahana tino teitei (i runga ake i te 2400).℃), a ka pirau te mata ki te whakaputa SiXCy (te nuinga ko Si, SiC₂, Si₂C, etc.).Ka haria nga rawa wahanga kohu mai i te rohe pāmahana teitei ki te karaihe kakano i te rohe pāmahana iti, fte hanga karihi purapura, te tipu, me te whakaputa tioata kotahi.Ko nga rauemi papa waiariki e whakamahia ana i roto i tenei mahi, penei i te parapara, te mowhiti arataki rere, te kakano kakano pupuri karaihe, me atete ki te teitei o te pāmahana, kaua hoki e whakapoke i nga rawa SiC me nga kiripiri kotahi SiC.Waihoki, ko nga huānga whakawera i roto i te tipu o nga tioata kotahi AlN me kaha ki te Al vapor, N₂te waikura, me te nui o te pāmahana eutectic (me AlN) hei whakapoto i te wa whakarite karaihe.
I kitea ko te SiC[2-5] me te AlN[2-3] i mahia eTaC paniaHe pai ake nga rawa o te papa waiariki graphite, tata kore waro (haora, hauota) me etahi atu poke, he iti ake nga koha o te taha, he iti ake te parenga o ia rohe, a ka tino heke iho te kiato micropore me te kiato o te rua o te poka (i muri i te werohanga KOH), me te kounga o te karaihe. i tino pai ake.I tua atu,TaC crucibleKo te tere o te mate taimaha he tata kore, he ahua kino te ahua, ka taea te hangarua (te ora ki te 200h), ka taea te whakapai ake i te pumau me te pai o te whakarite karaihe kotahi.
FIG.2. (a) Te hoahoa hoahoa o te taputapu whakatipu ingot karaihe kotahi o SiC ma te tikanga PVT
(b) RungaTaC paniataiapa kakano (tae atu ki te kakano SiC)
(c)mowhiti aratohu kauwhata whakakikoruatia a TAC
WAHANGA/2
MoCVD GaN paparanga epitaxial whakawera whakatipu
E whakaatuhia ana i te Whakaahua 3 (a), ko te tipu o te MOCVD GaN he hangarau whakangao matū matū e whakamahi ana i te tauhohenga whakangao ohanga ki te whakatipu kiriata angiangi ma te tipu epitaxial kohu.Ko te tika o te pāmahana me te riterite i roto i te kohao ka waiho te whakamahana hei waahanga matua o nga taputapu MOCVD.Ahakoa ka taea te whakawera tere me te rite mo te wa roa te tïpako (i raro i te whakamatao tonu), ko te pumau i te teitei o te pāmahana (te aukati ki te waikura hau) me te ma o te kiriata ka pa tika ki te kounga o te whakatakoto kiriata, te riterite o te matotoru, me te mahi o te maramara.
Hei whakapai ake i te mahi me te hangarua pai o te whakamahana i roto i te punaha tipu MOCVD GaN,TAC-panitiaI pai te whakaurunga o te whakamahana kauwhata.Ka whakatauritea ki te paparanga epitaxial GaN i whakatipuhia e te whakamahana tikanga (ma te whakamahi i te paninga pBN), ko te paparanga epitaxial GaN i whakatipuhia e te whakamahana TaC he rite tonu te hanganga karaihe, te riterite matotoru, nga kohatanga o roto, te doping poke me te poke.I tua atu, ko tepaninga TaChe iti te parenga me te iti o te mata o te mata, ka taea te whakapai ake i te pai me te riterite o te whakamahana, na reira ka whakaiti i te kai mana me te mate wera.Ka taea te whakatika i te porosity o te paninga ma te whakahaere i nga tawhā tukanga ki te whakapai ake i nga ahuatanga radiation o te whakamahana me te whakawhānui ake i tona oranga ratonga [5].Ko enei painga ka mahiaTaC paniaKo nga whakamahana kauwhata he whiringa pai mo nga punaha tipu MOCVD GaN.
FIG.3. (a) Te hoahoa hoahoa o te taputapu MOCVD mo te tipu epitaxial GaN
(b) He whakamahana kauwhata kua pania ki te TAC kua oti te whakanoho ki te tatūnga MOCVD, haunga te turanga me te awhi (whakaahua e whakaatu ana i te turanga me te awhi i te whakamahana)
(c) Whakawera kauwhata whakakikoruatia TAC i muri i te 17 GaN tipu epitaxial.[6]
WAHANGA/3
Ko te susceptor kua whakakikoruatia mo te epitaxy(wafer carrier)
Ko te kaikawe wafer he waahanga hanganga nui mo te whakarite o SiC, AlN, GaN me etahi atu momo angiangi semiconductor akomanga tuatoru me te tipu angiangi epitaxial.Ko te nuinga o nga kaikawe angiangi he mea hanga ki te graphite ka whakakikoruatia ki te paninga SiC hei aukati i te waikura mai i nga hau mahi, me te awhe pāmahana epitaxial o 1100 ki te 1600°C, me te aukati waikura o te paninga whakamarumaru he mea nui ki te oranga o te kawe angiangi.Ko nga hua e whakaatu ana ko te reiti waikura o TaC he 6 nga wa poto ake i te SiC i roto i te haukini teitei.I roto i te hauwai pāmahana teitei, ko te reiti waikura neke atu i te 10 nga wa puhoi ake i te SiC.
Kua whakamatauhia e nga whakamatautau ko nga papaa kua hipokina ki te TaC e whakaatu ana i te pai o te hototahi i roto i te mahinga GaN MOCVD maramara puru me te kore e whakauru i nga poke.Whai muri i te iti o nga whakarereketanga o nga mahi, ko nga kaiarahi i whakatipuhia ma te whakamahi i nga kaikawe TaC e whakaatu ana i nga mahi me te riterite ki nga kaikawe SiC tikanga.Na reira, he pai ake te oranga o nga palleti whakakikoruatia o te TAC i tera o te waituhi kohatu korekore me teSiC paniapalleti kauwhata.
Wā tuku: Maehe-05-2024