English

2~6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC tïpako

2~6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC tïpako Whakaahua Whakaatuhia
  • 2~6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC tïpako
  • 2~6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC tïpako

Whakaahuatanga Poto:

Ko te 4° te koki P-momo 4H-SiC tïpako he rauemi semiconductor motuhake, i reira ko te "4° te koki-kore" e tohu ana ki te koki anga karaihe o te angiangi he 4 nga nekehanga ki waho-koki, me te "momo-P" e tohu ana ki te te momo kawe o te hikohiko. He nui nga tono a tenei rauemi i roto i te umanga semiconductor, ina koa i roto i nga waahanga hiko hiko me te hiko hiko teitei.


Taipitopito Hua

Tohu Hua

Ko te 2~6 inihi 4° o te koki P-momo 4H-SiC substrates o Semicera kua hangaia hei whakatutuki i nga hiahia tipu o te mana mahi teitei me nga kaihanga taputapu RF. Ko te 4° koki-kore-koki ka whakarite i te tipu o te epitaxial pai rawa atu, ka waiho tenei taputapu hei turanga pai mo te whānuitanga o nga taputapu hiko, tae atu ki nga MOSFET, IGBT, me nga diodes.

Ko tenei 2~6 inihi 4° te koki P-momo 4H-SiC tïpako he pai rawa nga taonga, tae atu ki te kaha o te waiariki, te pai o te mahi hiko, me te tino pai o te miihini. Ko te koki-a-waho ka awhina i te whakaiti i te kiato micropipe me te whakatairanga i nga paparanga epitaxial maeneene, he mea nui ki te whakapai ake i te mahi me te pono o te taputapu semiconductor whakamutunga.

Ko te 2~6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC substrates a Semicera e waatea ana i roto i nga momo diameter, mai i te 2 inihi ki te 6 inihi, ki te whakatutuki i nga whakaritenga hanga rereke. Ko o maatau taputapu he mea hanga tika hei whakarato i nga taumata doping rite me nga ahuatanga o te mata o te kounga teitei, me te whakarite kia tutuki ia wafer ki nga whakaritenga kaha e hiahiatia ana mo nga tono hiko matatau.

Ko te whakapumautanga a Semicera ki te auaha me te kounga e whakarite ana ko o maatau 2~6 inihi 4° te koki P-momo 4H-SiC substrates e tuku mahi rite tonu i roto i te whānuitanga o nga tono mai i te hikohiko hiko ki nga taputapu auau teitei. Ko tenei hua e whakarato ana i te otinga pono mo te whakatipuranga o muri mai o nga miihini hiko-kaha, teitei-mahi, e tautoko ana i te ahunga whakamua hangarau i roto i nga umanga penei i te miihini, te waea waea, me te kaha whakahou.

Nga paerewa e pa ana ki te rahi

Rahi

2-Inihi

4-inihi
Diamita 50.8 mm±0.38 mm 100.0 mm+0/-0.5 mm
Te Whakaritenga Mata 4° ki<11-20>±0.5° 4° ki<11-20>±0.5°
Te Roa Papatahi Tuatahi 16.0 mm±1.5mm 32.5mm±2mm
Te Roa Papatahi Tuarua 8.0 mm±1.5mm 18.0 mm ± 2 mm
Kaupapa Papatahi Tuatahi Whakarara ki <11-20>±5.0° Whakarara<11-20>±5.0c
Takotoranga Papatahi Tuarua 90°CW mai i te tuatahi ± 5.0°, te anga ki runga te hiona 90°CW mai i te tuatahi ± 5.0°, te anga ki runga te hiona
Whakaoti Mata C-kanohi: Optical Polish, Si-Face: CMP C-kanohi:OpticalPolish, Si-kanohi: CMP
Tapa Wafer Tirohanga Tirohanga
Riroke Mata Si-Face Ra<0.2 nm Si-Face Ra<0.2nm
Mātotoru 350.0±25.0um 350.0±25.0um
Polytype 4H 4H
Doping p-Momo p-Momo

Nga paerewa e pa ana ki te rahi

Rahi

 6-Inihi
Diamita 150.0 mm+0/-0.2 mm
Takotoranga Mata 4° ki<11-20>±0.5°
Te Roa Papatahi Tuatahi 47.5 mm ± 1.5mm
Te Roa Papatahi Tuarua Karekau
Kaupapa Papatahi Tuatahi Whakarara ki <11-20>±5.0°
Takotoranga Paetahi Tuarua 90°CW mai i te tuatahi ± 5.0°, te anga ki runga
Whakaoti Mata Mata-C: Poroni Optical, Si-Face:CMP
Tapa Wafer Tirohanga
Riroke Mata Si-Face Ra<0.2 nm
Mātotoru 350.0±25.0μm
Polytype 4H
Doping p-Momo

Ramana

2-6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC tïpako-3

Kopikopiko

2-6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC tïpako-4

Wehenga kiato (KOH etching)

2-6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC tïpako-5

Ko nga whakaahua tarai KOH

2-6 inihi 4° atu-koki P-momo 4H-SiC tïpako-6
Angiangi SiC
  • Tōmua:
  • Panuku:

    • HUA HUA