Ka whakauru a Semicera i te hikohiko kounga teiteinga hoe carbide cantilever, i hangaia ki te whakatutuki i nga hiahia kaha o te hanga semiconductor hou.
Ko tehoe carbide siliconhe hoahoa matatau e whakaiti ana i te roha waiariki me te whakawhanaunga, ka tino pono i roto i nga ahuatanga tino kino. Ko tana hanga pakari ka kaha ake te mauroa, ka whakaiti i te tupono ka pakaru, ka mau ranei, he mea nui ki te pupuri i nga hua teitei me te kounga o te whakaputa. Ko tepoti angiangiKo te hoahoa hoki e hono pai ana me nga taputapu tukatuka semiconductor paerewa, e whakarite ana i te hototahi me te ngawari o te whakamahi.
Ko tetahi o nga ahuatanga motuhake o te SemiceraSiC hoeKo tana parenga matū, e taea ai e ia te mahi tino pai i roto i nga taiao e pa ana ki nga hau me nga matū. Ko te arotahi a Semicera ki te whakaritenga ka taea te whakarite i nga otinga.
| Nga ahuatanga tinana o Silicon Carbide Recrystallized | |
| Taonga | Uara Angamaheni |
| Te pāmahana mahi (°C) | 1600°C (me te hāora), 1700°C (whakaiti taiao) |
| ihirangi SiC | > 99.96% |
| Ko te ihirangi Si Free | < 0.1% |
| Kiato rahi | 2.60-2.70 g/cm3 |
| Ka kitea te porosity | < 16% |
| Te kaha kōpeketanga | > 600 MPa |
| Te kaha piko o te makariri | 80-90 MPa (20°C) |
| Te kaha piko wera | 90-100 MPa (1400°C) |
| Te roha wera @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Te werawera @1200°C | 23 W/m•K |
| Kōwae rapa | 240 GPa |
| Te ātete ru werawera | Tino pai |
