Silicon Carbide SiC pania Epitaxial Reactor Barrel

Silicon Carbide SiC Whakakikoruatia Epitaxial Reactor Barrel Whakaaturanga Whakaahua

Whakaahuatanga Poto:

Kei te tuku a Semicera i te whānuitanga matawhānui o te susceptors me nga waahanga graphite i hangaia mo nga momo reactors epitaxy.

Na roto i nga hononga rautaki me nga OEM arataki-ahumahi, nga tohungatanga rawa nui, me nga kaha whakangao matatau, ka tukuna e Semicera nga hoahoa kua whakaingoatia ki te whakatutuki i nga whakaritenga motuhake o to tono. Ko ta matou piripono ki te hiranga ka whakarite kia whiwhi koe i nga otinga tino pai mo o hiahia reactor epitaxy.

Tukuna he imeera ki a matou

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Ka whakaratohia e ta maatau kamupenepaninga SiCratonga tukatuka i runga i te mata o te kauwhata, te karamu me etahi atu rawa ma te tikanga CVD, kia tauhohe ai nga hau motuhake kei roto i te waro me te silicon i te teitei o te pāmahana ki te whiwhi i nga ngota ngota Sic tino parakore, ka taea te whakatakoto ki runga i te mata o nga mea kua pania hei hanga i tePaparanga tiaki SiCmo te momo oko epitaxy hy pnotic.

Āhuatanga matua:

1 .High pure SiC pani kauwhata

2. He pai ake te parenga wera me te riterite o te waiariki

3. PaiKa pania te karaihe SiCmo te mata maeneene

4. Te mauroa teitei ki te horoi matū

Nga Whakatakotoranga Matua oWhakakikorua CVD-SIC

Nga Taonga SiC-CVD
Hanganga Kiriata	FCC β wāhanga
Kiato	g/cm³	3.21
Te pakeke	Vickers pakeke	2500
Rahi witi	μm	2~10
Te Maamaa	%	99.99995
Raukaha Wera	J·kg-1 ·K-1	640
Te Mahana Whakararo	℃	2700
Te Kaha Felexural	MPa (RT 4-point)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt piko, 1300℃)	430
Roha Ngawha (CTE)	10-6K-1	4.5
Te kawe werawera	(W/mK)	300