Te Ora Mahi Roa SiC Whakakikoruatia Kaikawe Kaikawe mo te Wafer Solar

Whakaahuatanga Poto:

Ko te Silicon carbide he momo uku hou me te utu nui o te utu me nga rawa rawa. Na nga ahuatanga penei i te kaha nui me te pakeke, te atete teitei o te pāmahana, te kawe waiariki nui me te aukati waikura matū, tata ka taea e Silicon Carbide te tu ki nga momo matū katoa. Na reira, ka whakamahia nuitia te SiC ki te keri hinu, matū, miihini me te mokowhiti rererangi, tae noa ki te kaha karihi me nga hoia kei a raatau tono motuhake mo SIC. Ko etahi tono noa ka taea e matou te tuku ko nga mowhiti hiri mo te papu, te paera me te patu tiaki me etahi atu.


Taipitopito Hua

Tohu Hua

Nga painga

Te teitei o te wera o te waiora
Tino pai te parenga waikura
Pai Abrasion ātete
Te whakarea teitei o te kawe wera
Whakahinuhinu-whaiaro, iti kiato
Te pakeke teitei
Hoahoa ritenga.

HGF (2)
HGF (1)

Nga tono

-Mahere-aukati: te ngahere, te pereti, te puha kirikiri, te arai huripari, te peera huri, me era atu...
-Te Maama Teitei: SiC Slab, Te Tiini Umu Tube, Te Radiant Tube, te parapara, Te Hunga Whakawera, Roera, Te Kurupae, Te Whakawhiti Wera, Te Puawaa Matao, Te Puha Kaitahu, Te Tube Tiaki Thermocouple, te Poti SiC, Te Hanganga Motu o Kiln, Setter, etc.
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC wafer boat, sic chuck,sic hoe, sic cassette, sic diffusion tube, wafer fork, suction plate, guideway, etc.
-Silicon Carbide Seal Field: nga momo hiri hiri katoa, te kawe, te ngahere, me era atu.
-Photovoltaic Field: Cantilever Hoe, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, etc.
-Mahi Puhiko Lithium

WAFER (1)

WAFER (2)

Nga Tikanga Tinana o SiC

Taonga Uara Tikanga
Kiato 3.21 g/cc Totohu-maana me te rahi
Te wera motuhake 0.66 J/g °K Kohiko hikoi laser
Te kaha whakaheke 450 MPa560 MPa 4 piko piko, RT4 piko piko, 1300°
Te pakari o te whati 2.94 MPa m1/2 Microindentation
Te pakeke 2800 Vicker's, 500g te utaina
Elastic ModulusYoung's Modulus 450 GPa430 GPa 4 pt piko, RT4 pt piko, 1300 °C
Te rahi o te witi 2 – 10 µm SEM

Ngaaahua Ngawha o SiC

Te Whakawhitinga Ngawha 250 W/m °K Tikanga rama laser, RT
Roha Ngawha (CTE) 4.5 x 10-6 °K Te pāmahana rūma ki te 950 °C, te dilatometer silica

Tawhā Hangarau

Tūemi Waeine Raraunga
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
ihirangi SiC % 85 75 99 99.9 ≥99
He ihirangi silicon kore utu % 15 0 0 0 0
Paemahana ratonga Max 1380 1450 1650 1620 1400
Kiato g/cm3 3.02 2.75-2.85 3.08-3.16 2.65-2.75 2.75-2.85
Porosity tuwhera % 0 13-15 0 15-18 7-8
Te kaha piko 20℃ Мpa 250 160 380 100 /
Te kaha piko 1200 ℃ Мpa 280 180 400 120 /
Kōwae o te elasticity 20 ℃ Gpa 330 580 420 240 /
Modulus o te elasticity 1200 ℃ Gpa 300 / / 200 /
Te kawe werawera 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Te whakarea o te roha wera K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

Ko te paninga carbide silicon CVD i runga i te mata o waho o te rerystallized silicon carbide ceramic hua ka taea te tae ki te ma o neke atu i te 99.9999% ki te whakatutuki i nga hiahia o nga kaihoko i roto i te ahumahi semiconductor.

Te waahi mahi a Semicera
Te waahi mahi Semicera 2
Miihini taputapu
Te tukatuka CNN, te horoi matū, te paninga CVD
Ta tatou ratonga

  • Tōmua:
  • Panuku: