CVD Puka Silicon Carbide (SiC)
Tirohanga:CVDcarbide silicon carbide (SiC)he mea tino rapuhia i roto i nga taputapu etching plasma, nga tono tukatuka waiariki tere (RTP), me etahi atu mahi hangahanga semiconductor. Ko ona ahuatanga miihini, matū me te waiariki he mea tino pai mo nga tono hangarau matatau e hiahia ana kia tino tika me te mauroa.
Nga tono mo te CVD Bulk SiC:He mea nui te Bulk SiC i roto i te umanga semiconductor, ina koa i roto i nga punaha etching plasma, kei reira nga waahanga penei i nga mowhiti arotahi, nga kaukau hau, nga mowhiti taha, me nga pereti e whai hua ana mai i te tino kaha o te aukati waikura me te kawe werawera a SiC. Ka toro atu tona whakamahinga kiRTPnga punaha na te kaha o SiC ki te tu atu i nga rereketanga tere o te pāmahana me te kore e tino paheketanga.
I tua atu i nga taputapu tarai, CVDnui SiCe paingia ana i roto i nga oumu whakamaarama me nga tukanga tipu karaihe, e hiahiatia ana te pumau o te waiariki me te aukati ki nga taiao matū kino. Ko enei huanga ka waiho a SiC hei rauemi whiriwhiri mo nga tono tono-nui e pa ana ki te pāmahana teitei me te hau pirau, penei i era kei roto te maota me te fluorine.
Nga Painga o nga Waahanga CVD Bulk SiC:
•Kiato Teitei:Me te kiato o te 3.2 g/cm³,CVD nui SiCKo nga waahanga he tino aukati ki te kakahu me te paanga miihini.
•Te Kawenga Weariki Kairangi:Ko te kawe i te waiariki o te 300 W/m·K, ko te nuinga o te SiC he pai te whakahaere i te wera, he pai mo nga waahanga e kitea ana ki nga huringa wera nui.
•Ātete Matū Motuhake:Ko te iti o te tauhohenga o te SiC me nga hau tarai, tae atu ki nga matū matū me te matū fluorine, ka roa te ora o te waahanga.
•Ātete Whakaritea: CVD nuinga SiC'sKa taea te whakarite i te parenga i roto i te awhe o te 10⁻²–10⁴ Ω-cm, ka taea te urutau ki nga hiahia whakangao motuhake me nga hiahia whakangao.
•Whakarea Roha Weariki:Ki te whakarea roha waiariki o 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), CVD nuinga SiC ātete wiariki ru, mau tonu te pūmautanga ahu ahakoa i roto i tere whakawera me te meangiti huringa.
•Te mauroa i roto i te Plasma:Ko te whakakitenga ki te plasma me nga hau reactive e kore e taea te karo i roto i nga tukanga semiconductor, engariCVD nui SiChe pai ake te aukati ki te waikura me te paheketanga, te whakaiti i te auau whakakapinga me nga utu tiaki katoa.
Whakatakotoranga Hangarau:
•Diane:Nui ake i te 305 mm
•Te ātete:Ka taea te whakarite i roto i te 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Kiato:3.2 g/cm³
•Kawenga Ngawha:300 W/m·K
•Whakarea Roha Weariki:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Whakaritenga me te Wawari:ISemicera Semiconductor, kei te mohio matou he rereke nga whakaritenga o ia tono semiconductor. Koia te take ka taea te whakarite i a maatau waahanga SiC nuinga o te CVD, me te whakaahuru ka taea te whakarite me nga rahi kua whakaritea kia rite ki o hiahia taputapu. Ahakoa kei te arotau koe i o punaha tarai plasma, kei te rapu ranei i nga waahanga roa i roto i te RTP, i nga tikanga whakamaarama ranei, ka tukuna e to maatau CVD te nuinga o te SiC nga mahi tino kore.
