Whakaahuatanga
Ka whakaratohia e ta maatau kamupenepaninga SiCnga ratonga tukatuka ma te tikanga CVD i runga i te mata o te kauwhata, te karamu me etahi atu rawa, kia tauhohe ai nga hau motuhake kei roto i te waro me te silicon i te teitei o te pāmahana ki te whiwhi i nga ngota ngota SiC parakore teitei, nga ngota ngota ka waiho ki runga i te mata o nga mea pani, ka hanga hePaparanga tiaki SiC.
Nga waahanga matua
1. Te teitei o te pāmahana aukati waiora:
he tino pai tonu te parenga waikura ina he teitei te pāmahana ki te 1600 ℃.
2. Te parakore teitei: i hangaia e te waipara matū matū i raro i te ahua o te maota o te pāmahana teitei.
3. Atete te horo: te pakeke teitei, te mata kiato, nga matūriki pai.
4. Te aukati waikura: te waikawa, te kawakore, te tote me nga reagents waro.
Nga Whakatakotoranga Matua o te Whakakikorua CVD-SIC
| Nga Taonga SiC-CVD | ||
| Hanganga Kiriata | FCC β wāhanga | |
| Kiato | g/cm³ | 3.21 |
| Te pakeke | Vickers pakeke | 2500 |
| Rahi witi | μm | 2~10 |
| Te Maamaa | % | 99.99995 |
| Raukaha Wera | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Te Mahana Whakararo | ℃ | 2700 |
| Te Kaha Felexural | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt piko, 1300℃) | 430 |
| Roha Ngawha (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Te kawe werawera | (W/mK) | 300 |
