Ko SemiceraSiC hoehe mea hanga mo te iti o te roha waiariki, he pumau me te tika i roto i nga tukanga he mea nui te tika o te taha. Ma tenei ka tino pai mo nga tono kei heaangiangika tukuna ki nga huringa whakamahana me te whakamatao, na te mea ka mau tonu te hangai o te poti angiangi, me te whakarite kia rite tonu te mahi.
Te whakauru a Semicera'snga hoe riipene carbide diffusionki roto i to raina whakangao ka whakarei ake i te pono o to mahi, he mihi ki o raatau taonga wera me te matū. He tino pai enei hoe mo te whakamaaramatanga, te waioratanga, me nga mahi annealing, me te whakarite kia whakahaerea nga wafers ma te tupato me te tika puta noa i ia taahiraa.
Ko te auahatanga kei te matua o Semicera'sSiC hoehoahoa. Ko enei hoe he mea whakarite kia uru pai ki nga taputapu semiconductor o naianei, kia pai ake ai te whakahaere. Ko te hanganga mama me te hoahoa ergonomic ehara i te whakapai noa i te kawe angiangi engari ka whakaitihia ano te waa mahi, ka pai ake te hanga.
| Nga ahuatanga tinana o Silicon Carbide Recrystallized | |
| Taonga | Uara Angamaheni |
| Te pāmahana mahi (°C) | 1600°C (me te hāora), 1700°C (whakaiti taiao) |
| ihirangi SiC | > 99.96% |
| Ko te ihirangi Si Free | < 0.1% |
| Kiato rahi | 2.60-2.70 g/cm3 |
| Ka kitea te porosity | < 16% |
| Te kaha kōpeketanga | > 600 MPa |
| Te kaha piko o te makariri | 80-90 MPa (20°C) |
| Te kaha piko wera | 90-100 MPa (1400°C) |
| Te roha wera @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Te werawera @1200°C | 23 W/m•K |
| Kōwae rapa | 240 GPa |
| Te ātete ru werawera | Tino pai |
