Paariki Silicon Carbide|SiC Wafers

Whakaahuatanga Poto:

Ko WeiTai Energy Technology Co., Ltd. he kaiwhakarato matua e tohunga ana ki nga taonga angiangi me nga taputapu semiconductor matatau.Kei te whakatapua matou ki te whakarato i nga hua-kounga teitei, pono, me nga hua hou ki te hanga semiconductor, ahumahi photovoltaic me etahi atu mara e pa ana.

Kei roto i ta maatau rarangi hua nga hua graphite whakakikoruatia SiC/TaC me nga hua uku, kei roto i nga momo taonga penei i te carbide silicon, silicon nitride, me te konumohe waikura me etahi atu.

I tenei wa, ko matou anake te kaihanga ki te whakarato i te parakore 99.9999% SiC paninga me te 99.9% rerystallized silicon carbide.Ko te roa o te paninga SiC teitei ka taea e tatou te 2640mm.

Tukuna he imeera ki a matou

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Silicon carbide (SiC) rauemi karaihe kotahi he nui te whanui aputa ropu (~ Si 3 wa), te kawe waiariki tiketike (~ Si 3.3 wa GaAs 10 wa ranei), auau hekenga waiwai irahiko tiketike (~ Si 2.5 wa), hiko pakaru tiketike mara (~Si 10 wa ranei GaAs 5 wa) me etahi atu ahuatanga tino pai.

Ko nga taputapu SiC he painga kaore e taea te whakakapi i te waahi o te pāmahana teitei, te pehanga teitei, te auau teitei, nga taputapu hiko teitei me nga tono taiao tino penei i te aerospace, te hoia, te kaha karihi, me era atu, hei hanga i nga hapa o nga taputapu taputapu semiconductor tuku iho i roto i te mahi. tono, a kei te huri haere hei auraki o te hiko hiko.

4H-SiC Silicon carbide tïpako whakaritenga

Item项目	Whakatakotohanga参数
Polytype 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Diamita 晶圆直径	2 inihi \|3 inihi \|4 inihi \|6 inihi	2 inihi \|3 inihi \|4 inihi \|6 inihi
Mātotoru 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Te kawe 导电类型	N – momo / Semi-whakaweto N型导电片/ 半绝缘片	N – momo / Semi-whakaweto N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 ( Nitrogen )V ( Vanadium )	N2 ( Nitrogen ) V ( Vanadium )
Takotoranga 晶向	I te tuaka <0001> Weto tuaka <0001> atu 4°	I te tuaka <0001> Weto tuaka <0001> atu 4°
Te ātete 电阻率	0.015 ~ 0.03 ohm-cm (4H-N)	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N)
Kiatotanga Micropipe(MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Kopere / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Mata 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Kōeke 产品等级	Koeke Whakaputa / Rangahau	Koeke Whakaputa / Rangahau
Raupapa Tāpae Kiriata 堆积方式	ABCB	ABCABC
Tawhā whakanekeneke 晶格参数	a=3.076A , c=10.053A	a=3.073A , c=15.117A
Hei tauira/eV(Aputa-aputa) 禁带宽度	3.27 eV	3.02 eV
ε(Dielectric Tonu) 介电常数	9.6	9.66
Taurangi Refraction 折射率	n0 =2.719 ne =2.777	n0 =2.707 , ne =2.755

6H-SiC Silicon Carbide nga whakaritenga taputapu taputapu

Item项目	Whakatakotohanga参数
Polytype 晶型	6H-SiC
Diamita 晶圆直径	4 inihi \|6 inihi
Mātotoru 厚度	350μm ~ 450μm
Te kawe 导电类型	N – momo / Semi-whakaweto N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2( hauota) V ( Vanadium )
Takotoranga 晶向	<0001> atu 4°± 0.5°
Te ātete 电阻率	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N Momo)
Kiatotanga Micropipe(MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Kopere / Warp 翘曲度	≤25 μm
Mata 表面处理	Si Kanohi: CMP, Epi-Ready C Kanohi: Optical Polish
Kōeke 产品等级	Koeke rangahau