Silicon nitride herea silicon carbide pou

Silicon nitride herea silicon carbide

Si3N4 herea SiC taonga parakore uku, he mea konatunatua ki te SIC parakore pai paura me te Silicon paura, i muri i te paheke akoranga makanga, tauhohenga sintered i raro i 1400~1500°C. I te wa o te mahi sintering, ka whakakiia te Nitrogen parakore teitei ki roto i te oumu, katahi ka tauhohe te silicon ki te Nitrogen me te whakaputa Si3N4, Na reira ko te Si3N4 herea nga rauemi SiC he mea tito ki te silicon nitride (23%) me te silicon carbide (75%) hei rauemi mata matua. , ka konatunatua ki nga mea kaiao, ka hangaia e te ranunga, te tangohanga, te ringihanga ranei, ka mahia i muri i te whakamaroke me te hauota.

Nga ahuatanga me nga painga:

1.High pāmahana kātakí
2.High kawe wera me te ru ātete
3.High kaha miihini me te aukati abrasion
4.Excellent pūngao pai me te waikura ātete

Ka whakaratohia e matou te kounga teitei me te miihini miihini NSiC nga waahanga uku e mahi ana

1.Slip makanga
2.Whakaputa
3.Uni Axial Pressing
4.Isostatic Pressing

Rauraraunga Rauemi