Silicon nitride herea silicon carbide
Si3N4 herea SiC taonga parakore uku, he mea konatunatua ki te SIC parakore teitei paura pai me te paura Silicon, i muri i te paheketanga makanga akoranga, tauhohenga sintered i raro i 1400~1500°C.I te wa o te mahi sintering, ka whakakiia te Nitrogen parakore teitei ki roto i te oumu, katahi ka tauhohe te silicon ki te Nitrogen me te whakaputa Si3N4, Na reira ko te Si3N4 herea nga rauemi SiC he mea tito ki te nitride silicon (23%) me te carbide silicon (75%) hei rauemi mata matua. , ka konatunatua ki nga mea waro, ka hangaia e te ranunga, te tangohanga, te ringihanga ranei, ka mahia i muri i te whakamaroke me te hauota.
Nga ahuatanga me nga painga:
1.High pāmahana kātakí
2.High kawe wera me te ru ātete
3.High kaha miihini me te aukati abrasion
4.Excellent pūngao pai me te waikura ātete
Ka whakaratohia e matou nga waahanga miihini NSiC kounga teitei me te miihini e mahi ana
1.Slip makanga
2.Whakaputa
3.Uni Axial Pressing
4.Isostatic Pressing
Rauraraunga Rauemi
| > Hanga Matū | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Free Si | 0% | |
| Kiato rahi (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| Te porosity (%) | 12～15 | |
| Te kaha piko ki te 20 ℃(MPa) | 180～190 | |
| Te kaha piko ki te 1200 ℃(MPa) | 207 | |
| Te kaha piko ki te 1350 ℃(MPa) | 210 | |
| Te kaha kōpeke i te 20 ℃(MPa) | 580 | |
| Ko te kawe wera i te 1200 ℃(w/mk) | 19.6 | |
| Te whakarea whakareatanga werawera i1200 ℃(x 10-6/C) | 4.70 | |
| Te ātete ru werawera | Tino pai | |
| Max.pāmahana (℃) | 1600 | |
Ko WeiTai Energy Technology Co., Ltd. he kaiwhakarato matua o nga karamu semiconductor matatau me te kaihanga anake i Haina ka taea te whakarato i nga wa ano he parapara silicon carbide (ina koa ko te Recrystallized SiC) me te paninga CVD SiC.I tua atu, kei te kaha ano ta matou kamupene ki nga mara karaera penei i te alumina, te nitride konumohe, te zirconia, me te nitride silicon, etc.
Ko o tatou hua matua tae atu ki: kopae etching silicon carbide, tow poti carbide silicon, wafer wafer silicon carbide (Photovoltaic&Semicconductor), ngongo oumu carbide silicon, te hoe carbide cantilever, te chucks silicon carbide, te kurupae carbide silicon, me te paninga CVD SiC me te TaC paninga.Ko nga hua e whakamahia ana i roto i te ahumahi semiconductor me te photovoltaic, penei i nga taputapu mo te tipu o te karaihe, te epitaxy, te tarai, te kapi, te paninga me nga oumu diffusion, etc.
Kei a taatau kamupene nga taputapu whakaputa katoa penei i te whakakikorua, te sintering, te tukatuka, nga taputapu whakakikorua, me etahi atu, ka taea te whakaoti i nga hononga katoa e tika ana mo te whakaputa hua me te kaha ake o te mana whakahaere o te kounga o te hua;Ko te mahere whakaputa tino pai ka taea te whiriwhiri i runga i nga hiahia o te hua, ka iti ake te utu me te whakarato i nga kaihoko ki nga hua whakataetae;Ka taea e taatau te whakarite i nga mahi hangai i runga i nga whakaritenga tuku ota me te hono atu ki nga punaha whakahaere ota ipurangi, ka tere ake te waa tuku ki nga kaihoko.
