Gallium Nitride Substrates|GaN Wafers

Whakaahuatanga Poto:

Ko te Gallium nitride (GaN), he rite ki nga rauemi silicon carbide (SiC), no te tuatoru o nga reanga o nga rauemi semiconductor me te whanui whanui whanui whanui, me te whanui o te roopu roopu nui, te kaha o te waiariki, te tere o te heke o te irahiko hiko, me te waahi hiko tino nui. āhuatanga.He maha nga tono a nga taputapu GaN i roto i nga waahi teitei, tere tere me nga mara tono mana nui penei i te rama rama whakaora hiko, whakaaturanga mata laser, waka hiko hou, matiti atamai, korero 5G.

Tukuna he imeera ki a matou

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Ko nga reanga tuatoru o nga rauemi semiconductor ko te nuinga ko te SiC, GaN, taimana, me etahi atu, na te mea he nui ake te whanui aputa roopu (Eg) i te rite ranei ki te 2.3 volts electron (eV), e mohiotia ana ano he rauemi semiconductor aputa roopu whanui.Ka whakatauritea ki nga rauemi semiconductor reanga tuatahi me te tuarua, ko nga rauemi semiconductor reanga tuatoru he painga o te kawe werawera teitei, te waahi hiko pakaru teitei, te tere o te heke o te irahiko kukū me te kaha honohono teitei, ka taea te whakatutuki i nga whakaritenga hou o te hangarau hiko hou mo te teitei. te pāmahana, te kaha nui, te pehanga teitei, te auau teitei me te aukati iraruraru me etahi atu tikanga kino.He nui nga tumanakohanga tono i roto i nga mara o te arai o te motu, te rererangi, te aerospace, te torotoro hinu, te rokiroki whatu, me etahi atu, ka taea te whakaiti i te ngaronga o te kaha ki te neke atu i te 50% i roto i te maha o nga umanga rautaki penei i te whakawhitiwhiti whanui, te hiko o te ra, te hanga motuka, rama semiconductor, me te matiti atamai, a ka taea te whakaiti i te rōrahi taputapu neke atu i te 75%, he mea tino nui mo te whakawhanaketanga o te aoiao me te hangarau tangata.

Te nama 项目	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Diamita 晶圆直径	50.8 ± 1 mm
Mātotoru厚度	350 ± 25 μm
Takotoranga 晶向	Ko te rererangi C (0001) atu koki ki te tuaka-M 0.35 ± 0.15°
Prime Flat 主定位边	(1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm
Papatahi Tuarua 次定位边	(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm
Te kawe 导电性	Momo-N	Momo-N	Wehenga-whakarewa
Ātete (300K) 电阻率	<0.1 Ω·cm	<0.05 Ω·cm	> 106 Ω·cm
TTV 平整度	≤ 15 μm
KOPI 弯曲度	≤ 20 μm
Ga Mata Rikereke Mata Ga面粗糙度	<0.2 nm (kua orohia);
	ranei <0.3 nm (whakaparapara me te maimoatanga mata mo te epitaxy)
N Tirohanga Mata Mata N面粗糙度	0.5 ~ 1.5 μm
	kōwhiringa: 1~3 nm (whenua pai);< 0.2 nm (whaka oro)
Te Tototanga Wehenga 位错密度	Mai i te 1 x 105 ki te 3 x 106 cm-2 (kua tatauhia e CL)*
Tohutono Koha kiato 缺陷密度	<2 cm-2
Rohe Ka taea te whakamahi 有效面积	> 90% (te whakakorenga koha o te taha me te tonotono)
Ka taea te whakarite kia rite ki nga whakaritenga a te kaihoko, te hanganga rereke o te silicon, te sapphire, te pepa epitaxial GaN i runga i te SiC.